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RFP6N50-HXY
RFP6N50-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管漏源击穿电压为500V，连续漏极电流4.5A，导通电阻1200毫欧，栅源电压耐受值30V。器件适用于高压开关应用，如电源适配器、LED驱动及电机控制电路。其参数组合在承受高电压的同时提供稳定的电流传输能力，适合作为各类电子设备中的功率开关元件，实现电能的高效转换与控制。
- 商品型号
- RFP6N50-HXY
- 商品编号
- C54582621
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 139W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 639pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
RFP6N50可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220C，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压VDS = 500V，漏极电流ID = 4.5A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 1.5Ω
应用领域
适配器和充电器的电源开关电路。
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