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STF14NM50N-HXY
STF14NM50N-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）支持500V漏源电压与20A连续电流，导通电阻低至260mΩ，栅源耐压为30V。凭借低导通损耗特性，它适用于大功率开关电源、电机驱动电路及逆变器系统。器件能在高电压大电流工况下保持高效运行，为各类电力电子设备提供稳定的开关控制解决方案，满足对功率转换效率的严格要求。
- 商品型号
- STF14NM50N-HXY
- 商品编号
- C54582617
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.772克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.864nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 286pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
STF14NM50N可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 500V，ID = 20A
- RDS(ON) < 0.3Ω，@ VGS = 10V
应用领域
适配器和充电器的电源开关电路。
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