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NDBA180N10BT4H-HXY
NDBA180N10BT4H-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备260A的持续漏极电流承载能力，漏源击穿电压为100V，导通电阻低至2.4毫欧，栅源耐压值为20V。极低的导通损耗使其在大电流应用中表现优异，适用于高密度服务器电源、储能逆变器及大功率电机驱动系统，能够显著降低传导损耗并优化整体散热设计。
- 商品型号
- NDBA180N10BT4H-HXY
- 商品编号
- C54582613
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.752克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 379W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.505nF |
商品概述
NDBA180N10BT4H采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 260A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 4.2mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流同步整流应用
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