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NDBA180N10BT4H-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备260A的持续漏极电流承载能力，漏源击穿电压为100V，导通电阻低至2.4毫欧，栅源耐压值为20V。极低的导通损耗使其在大电流应用中表现优异，适用于高密度服务器电源、储能逆变器及大功率电机驱动系统，能够显著降低传导损耗并优化整体散热设计。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NDBA180N10BT4H-HXY
商品编号: C54582613
商品封装: TO-263
包装方式: 编带
商品毛重: 1.752克(g)

商品参数

NDBA180N10BT4H采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。