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FDD10N20LZTM-HXY
FDD10N20LZTM-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管漏源击穿电压为200伏，连续漏极电流9安培，导通电阻290毫欧，栅源耐压达30伏。较高的耐压值使其适用于中高电压开关电路，如适配器电源、LED驱动及电机控制模块。器件在30伏栅极驱动下能稳定工作，适合需要宽电压输入范围的电力转换设计，有助于简化驱动电路并提升系统可靠性。
- 商品型号
- FDD10N20LZTM-HXY
- 商品编号
- C54582607
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 235mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
FDD10N20LZTM可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压VDS = 200V，漏极电流ID = 9A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 270mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源