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IRFR3911TRPBF-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为15A，漏源击穿电压为100V，导通电阻为100毫欧。器件适用于中等功率的直流电机驱动、电池组保护及电源转换电路。在负载开关与稳压模块中，其电气特性可支持稳定的电流传输与电压控制，满足消费电子及便携设备对功率管理环节的性能要求，确保系统在额定工况下可靠运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRFR3911TRPBF-HXY
商品编号: C54582601
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.388克(g)

商品参数

IRFR3911TRPBF采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。