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IRFR130ATM-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为15A，漏源击穿电压为100V，导通电阻典型值为100mΩ。器件在中等电压下具备优良的电流承载能力与低导通损耗特性，适用于各类开关电源、电池管理系统及电机驱动电路。其参数组合有助于降低功率转换环节的发热量，提升系统整体能效，满足消费电子、通信设备及便携式仪器对功率开关元件的性能需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRFR130ATM-HXY
商品编号: C54582603
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.384克(g)

商品参数

IRFR130ATM采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。