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IRFR3410TRRPBF-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为30A，漏源击穿电压100V，导通电阻37毫欧，栅源电压耐受值20V。器件凭借明确的电气规格，适用于各类电源转换拓扑、电机驱动级及电池管理系统的功率开关环节。在高频切换应用中，其参数组合有助于平衡导通损耗与驱动需求，确保电路在既定电压电流范围内稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRFR3410TRRPBF-HXY
商品编号: C54582605
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.396克(g)

商品参数

IRFR3410TRRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。