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IRFR3410TRRPBF-HXY
IRFR3410TRRPBF-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管额定漏极电流为30A，漏源击穿电压100V，导通电阻37毫欧，栅源电压耐受值20V。器件凭借明确的电气规格，适用于各类电源转换拓扑、电机驱动级及电池管理系统的功率开关环节。在高频切换应用中，其参数组合有助于平衡导通损耗与驱动需求，确保电路在既定电压电流范围内稳定运行。
- 商品型号
- IRFR3410TRRPBF-HXY
- 商品编号
- C54582605
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.396克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
IRFR3410TRRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 30A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 48mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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