BUK9240-100A/C1-HXY
BUK9240-100A/C1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为30A,漏源击穿电压达100V,导通电阻典型值为37毫欧,栅源电压耐受范围为20V。器件凭借低导通损耗特性,适用于高电流开关场景,如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元,能在高频开关条件下保持稳定的电气性能与热表现。
- 商品型号
- BUK9240-100A/C1-HXY
- 商品编号
- C54582604
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
BUK9240-100A/C1采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 30A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 48mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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