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BUK9240-100A/C1-HXY实物图
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BUK9240-100A/C1-HXY

BUK9240-100A/C1-HXY

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描述
该N沟道场效应管最大漏极电流为30A,漏源击穿电压达100V,导通电阻典型值为37毫欧,栅源电压耐受范围为20V。器件凭借低导通损耗特性,适用于高电流开关场景,如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元,能在高频开关条件下保持稳定的电气性能与热表现。
商品型号
BUK9240-100A/C1-HXY
商品编号
C54582604
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.394克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))37mΩ@10V
耗散功率(Pd)42W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.964nF
反向传输电容(Crss)74pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)90pF

商品概述

BUK9240-100A/C1采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 30A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 48mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF