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FQD10N20CTM_F080-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为9A，漏源击穿电压达200V，导通电阻典型值为290mΩ，栅源耐压支持±30V。器件凭借低导通损耗与高电压耐受特性，适用于各类开关电源拓扑、电机驱动电路及功率转换模块。在高频开关场景中，其参数组合有助于提升系统能效并简化散热设计，满足多种电子设备对功率控制单元的严苛要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FQD10N20CTM_F080-HXY
商品编号: C54582602
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.398克(g)

商品参数

FQD10N20CTM_F080可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。