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IPD50N10S3L16ATMA2-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备100V漏源耐压与60A连续电流承载能力，导通电阻典型值为13.5mΩ。低导通损耗特性使其适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池管理系统中的功率切换单元。在高频工作环境下，器件能有效控制温升，适合高功率密度直流变换器设计，满足对效率要求严格的负载控制与能量转换应用需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD50N10S3L16ATMA2-HXY
商品编号: C54582568
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.396克(g)

商品参数

IPD50N10S3L16ATMA2采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。封装形式为TO - 252 - 2L。

消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流、同步整流应用、N沟道MOSFET