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IPD50N10S3L16ATMA2-HXY
IPD50N10S3L16ATMA2-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备100V漏源耐压与60A连续电流承载能力，导通电阻典型值为13.5mΩ。低导通损耗特性使其适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池管理系统中的功率切换单元。在高频工作环境下，器件能有效控制温升，适合高功率密度直流变换器设计，满足对效率要求严格的负载控制与能量转换应用需求。
- 商品型号
- IPD50N10S3L16ATMA2-HXY
- 商品编号
- C54582568
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.396克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 67.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.208nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.3pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 144pF |
商品概述
IPD50N10S3L16ATMA2采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。封装形式为TO - 252 - 2L。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 60A
- 在栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 17mΩ
应用领域
消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流、同步整流应用、N沟道MOSFET
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