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SFT1445-TL-H-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为20A，漏源击穿电压为100V，导通电阻低至80mΩ。凭借高电流承载能力与低导通损耗特性，器件适用于大电流开关电源、电池管理系统及电机驱动电路。在负载切换与功率调节场景中，其优异的导电性能有助于降低系统温升，提升能源转换效率，满足各类电子设备对高效功率控制元件的应用需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SFT1445-TL-H-HXY
商品编号: C54582570
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.398克(g)

商品参数

SFT1445-TL-H采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。