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AM20N10-115D-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为15A，漏源击穿电压达100V，导通电阻为100毫欧。其电气特性适用于中等功率开关场景，常见于直流电机驱动、电源适配器次级整流及电池管理系统的负载控制环节。在100V耐压等级下，该器件能有效平衡导通损耗与开关性能，满足各类电子设备对功率转换效率及电路稳定性的基础需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AM20N10-115D-HXY
商品编号: C54582576
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.388克(g)

商品参数

AM20N10 - 115D采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。