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NTD12N10T4G-HXY
NTD12N10T4G-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管额定漏极电流为10A，漏源击穿电压达100V，导通电阻为140mΩ，栅源耐压20V。器件凭借低导通损耗特性，适用于电机驱动、电源转换及电池管理系统的开关控制环节。其参数配置支持中等功率场景下的高效电能切换，满足各类电子设备对稳定运行与热管理的具体需求。
- 商品型号
- NTD12N10T4G-HXY
- 商品编号
- C54582583
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
NTD12N10T4G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 10A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 160mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 170mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 出色的封装，散热良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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