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STP35NF10-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备33A连续漏极电流与100V漏源耐压能力，导通电阻仅为30毫欧，栅源驱动电压支持20V。低阻抗特性有效降低导通损耗，提升能效表现。适用于服务器电源、通信设备供电模块及高性能电机控制系统，满足大电流快速开关需求，在紧凑电路设计中实现稳定功率传输与优异热管理性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STP35NF10-HXY
商品编号: C54582593
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.712克(g)

商品参数

STP35NF10采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。