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IRFR3910CPBF-HXY
IRFR3910CPBF-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备15安培的连续漏极电流能力，漏源击穿电压额定值为100伏，导通电阻为100毫欧。器件凭借明确的电压与电流规格，适用于中高功率直流电机驱动、电池管理模块及开关电源转换电路。在负载开关与同步整流应用中，其参数组合有助于优化系统能效并简化散热设计，满足各类电子设备对功率控制组件的性能需求。
- 商品型号
- IRFR3910CPBF-HXY
- 商品编号
- C54582595
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.4pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25.9pF |
商品概述
IRFR3910CPBF采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 12A
- 在栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 120mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
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