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RSD175N10TL-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏极电流为20安培，漏源击穿电压达100伏，导通电阻为80毫欧。器件凭借较高的电流承载能力与较低的导通损耗，适用于中高功率直流电机驱动、电池管理系统及开关电源转换电路。在负载开关与同步整流应用中，其参数组合有助于提升系统能效并优化热管理设计，满足各类电子设备对功率控制组件的性能需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RSD175N10TL-HXY
商品编号: C54582596
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.398克(g)

商品参数

RSD175N10TL采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。