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FQD10N20LTM-HXY
FQD10N20LTM-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为9A，漏源击穿电压达200V，导通电阻典型值为290mΩ，栅源耐压支持±30V。器件凭借低导通损耗与高电压耐受特性，适用于开关电源、电机驱动及电源转换模块等场景，能够在高频率开关操作中保持稳定的电气性能，满足各类电子设备对功率控制与效率优化的需求。
- 商品型号
- FQD10N20LTM-HXY
- 商品编号
- C54582597
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 235mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
FQD10N20LTM可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压VDS = 200V，漏极电流ID = 9A
- 在栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 270mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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