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FQD10N20CTF-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为9安培，漏源击穿电压高达200伏特。其导通电阻为290毫欧，栅源电压耐受值达30伏特。凭借较高的耐压能力与适中的导通特性，该器件适用于高压直流电源转换、照明驱动电路及各类功率开关模块。在需要承受较高电压应力的应用场景中，它能提供稳定的电流控制能力，协助实现高效的电能管理与信号切换功能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FQD10N20CTF-HXY
商品编号: C54582588
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.404克(g)

商品参数

FQD10N20CTF可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。