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PSMN034-100PS-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为33A，漏源击穿电压达100V，导通电阻典型值为30毫欧，栅源驱动电压支持20V。器件凭借低导通损耗与高电流承载能力，适用于高效率电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节，能够满足大电流快速切换的应用需求，确保系统在紧凑空间内实现稳定的功率传输与热管理性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: PSMN034-100PS-HXY
商品编号: C54582592
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.932克(g)

商品参数

BUK9535 - 100A采用先进的沟槽DS(ON)技术和设计，可提供出色的导通电阻，且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。