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DI054N10D1-AQ-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为70A，漏源击穿电压100V，导通电阻8.2毫欧，栅源电压耐受值20V。低导通电阻特性使其在大电流切换时损耗极低，适用于高功率直流电源转换、电池组保护电路及电机驱动模块。器件能在高负载条件下维持稳定运行，优化系统热性能并提升整体能效表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DI054N10D1-AQ-HXY
商品编号: C54582590
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402克(g)

商品参数

DI054N10D1 - AQ采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。