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HUFA76609D3ST_F085-HXY

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描述: 该N沟道场效应管漏源击穿电压为100V，连续漏极电流10A，导通电阻140mΩ，栅源电压耐受值20V。其参数特性适用于中低功率开关场景，如便携式设备电源管理、照明驱动电路及消费类电子产品的负载开关。器件在既定电压电流范围内工作稳定，适合对空间布局有要求的紧凑型电路板设计，满足常规电力转换需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HUFA76609D3ST_F085-HXY
商品编号: C54582585
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.39克(g)

商品参数

HUFA76609D3ST_F085采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。