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SPD11N10-HXY
SPD11N10-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为10安培，漏源击穿电压达100伏特。其导通电阻典型值为140毫欧，栅源电压耐受范围为20伏特。器件凭借低导通损耗特性，适用于各类中低压电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节，能够有效提升电路能效并优化热管理表现。
- 商品型号
- SPD11N10-HXY
- 商品编号
- C54582587
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
SPD11N10采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 10A
- 在栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 160mΩ
- 在栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 170mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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