温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQD10N20TF-HXY
FQD10N20TF-HXY
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管漏源击穿电压达200V，连续漏极电流9A，导通电阻290mΩ，栅源耐压30V。其高压特性适用于适配器电源、LED驱动及通信设备供电模块中的开关环节。器件在较高电压应力下保持工作稳定性，适合中等功率密度的电路拓扑，能够满足各类电子设备对高压侧功率控制的常规需求。
- 商品型号
- FQD10N20TF-HXY
- 商品编号
- C54582586
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 235mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
FQD10N20TF可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。
商品特性
- 漏源电压VDS = 200V，漏极电流ID = 9A
- 在栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 270mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SPD11N10-HXY
- FQD10N20CTF-HXY
- DI040N10D1-HXY
- DI054N10D1-AQ-HXY
- IPD16CN10NG-HXY
- PSMN034-100PS-HXY
- STP35NF10-HXY
- IRFR3910TRR-HXY
- IRFR3910CPBF-HXY
- RSD175N10TL-HXY
- FQD10N20LTM-HXY
- FQD10N20LTF-HXY
- PHD34NQ10T-HXY
- NTD12N10G-HXY
- IRFR3911TRPBF-HXY
- FQD10N20CTM_F080-HXY
- IRFR130ATM-HXY
- BUK9240-100A/C1-HXY
- IRFR3410TRRPBF-HXY
- SUD50N10-18P-GE3-HXY
- FDD10N20LZTM-HXY
- SPD11N10-HXY
- FQD10N20CTF-HXY
- DI040N10D1-HXY
- DI054N10D1-AQ-HXY
- IPD16CN10NG-HXY
- PSMN034-100PS-HXY
- STP35NF10-HXY
- IRFR3910TRR-HXY
- IRFR3910CPBF-HXY
- RSD175N10TL-HXY
- FQD10N20LTM-HXY
- FQD10N20LTF-HXY
- PHD34NQ10T-HXY
- NTD12N10G-HXY
- IRFR3911TRPBF-HXY
- FQD10N20CTM_F080-HXY
- IRFR130ATM-HXY
- BUK9240-100A/C1-HXY
- IRFR3410TRRPBF-HXY
- SUD50N10-18P-GE3-HXY
- FDD10N20LZTM-HXY