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FQD10N20TM-HXY
FQD10N20TM-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管额定漏极电流为9A，漏源击穿电压达200V，导通电阻为290mΩ，栅源耐压30V。器件适用于高压电源转换、照明驱动及电机控制电路中的开关环节。其电压与电流参数支持中高功率场景下的电能切换，低导通损耗特性有助于优化系统热管理，满足各类电子设备对稳定运行与能效的具体需求。
- 商品型号
- FQD10N20TM-HXY
- 商品编号
- C54582584
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 235mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
FQD10N20TM可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252 - 2L，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 200V，ID = 9A
- RDS(ON) < 270mΩ（在VGS = 10V时）
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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