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IRF1310NPBF-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备33安培漏极电流与100伏漏源耐压能力，导通电阻低至30毫欧，栅源电压额定值为20伏。低内阻特性有效降低导通损耗，适用于大电流开关电源、直流电机驱动及电池保护电路。器件在高负载条件下保持稳定的开关性能，适合各类需要高效功率转换与精确电流控制的电子设备应用。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRF1310NPBF-HXY
商品编号: C54582579
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.736克(g)

商品参数

IRF1310NPBF采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。