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IRFR3911TRLPBF-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备100V漏源极耐压（VDSS）与15A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为100毫欧。此参数组合在百元级电压应用中提供了可靠的电流承载能力与适中的导通损耗。器件适用于各类中等功率开关电源、电池保护电路及通用电子负载开关设计。其电气特性能够满足消费类电子产品及办公设备中对功率转换效率与热稳定性的基础要求，是构建紧凑型电源模块的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRFR3911TRLPBF-HXY
商品编号: C54582582
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.386克(g)

商品参数

IRFR3911TRLPBF采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。