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DI017N10D1-HXY

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描述: 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有100V的漏源极耐压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDON）为80毫欧，在中等功率应用中实现了开关损耗与成本的平衡。该器件适用于开关电源适配器、电动工具控制板及便携式设备电源管理模块。凭借稳定的电压耐受能力与适中的电流处理水平，它能有效胜任各类消费电子及通用电子设备中的功率开关任务。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DI017N10D1-HXY
商品编号: C54582581
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.398克(g)

商品参数

DI017N10D1采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。