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STP40NF10L-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STP40NF10L-HXY

STP40NF10L-HXY

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描述
该N沟道场效应管额定漏极电流为33安培,漏源击穿电压100伏,导通电阻30毫欧,栅源耐压20伏。凭借适中的电流承载能力与低导通损耗,适用于中功率直流变换器、电动工具驱动及储能系统开关电路。在同步整流或负载切换应用中,该器件能有效平衡效率与热性能,为各类电子设备提供稳定的功率控制解决方案。
商品型号
STP40NF10L-HXY
商品编号
C54582578
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.752克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)33A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
耗散功率(Pd)130W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)1.28nF
反向传输电容(Crss)26pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)300pF

商品概述

STP40NF10L采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 100V,漏极电流(ID) = 33A
  • 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 38mΩ

应用领域

  • 高效开关模式电源
  • 功率因数校正
  • 电子灯镇流器

数据手册PDF