STP40NF10L-HXY
STP40NF10L-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管额定漏极电流为33安培,漏源击穿电压100伏,导通电阻30毫欧,栅源耐压20伏。凭借适中的电流承载能力与低导通损耗,适用于中功率直流变换器、电动工具驱动及储能系统开关电路。在同步整流或负载切换应用中,该器件能有效平衡效率与热性能,为各类电子设备提供稳定的功率控制解决方案。
- 商品型号
- STP40NF10L-HXY
- 商品编号
- C54582578
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.752克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
STP40NF10L采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100V,漏极电流(ID) = 33A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 38mΩ
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器
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