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AM20N10-160D-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为15安培，漏源击穿电压达100伏，导通电阻典型值为100毫欧。器件凭借低导通损耗特性，适用于各类中低压电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统。其参数配置能够满足高效率开关应用需求，在直流-直流变换器及负载开关设计中提供稳定的电流控制能力，确保电路在连续工作状态下保持优良的热性能与电气可靠性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: AM20N10-160D-HXY
商品编号: C54582577
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.386克(g)

商品参数

AM20N10 - 160D采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。