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HUF76633P3-F085-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为33A，漏源击穿电压达100V，导通电阻典型值为30毫欧，栅源电压耐受范围为20V。器件凭借低导通损耗与高电流承载能力，适用于高效率电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的开关控制环节，能够在高频切换工况下保持稳定的电气性能，满足对能效与热管理有严格要求的电子设备设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HUF76633P3-F085-HXY
商品编号: C54582573
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.752克(g)

商品参数

HUF76633P3 - F085采用先进的沟槽DS(ON)技术和设计，以低栅极电荷提供出色的R。它可用于多种应用。