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HUFA76633P3-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为33A，漏源击穿电压100V，导通电阻30毫欧，栅源电压上限20V。其低导通阻抗特性有助于降低通路损耗，适用于各类开关电源、直流电机驱动及电池保护电路中的功率开关单元。在高频切换应用中，该器件能有效控制温升并提升系统整体能效，满足对电气性能稳定性有较高要求的电子设备设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HUFA76633P3-HXY
商品编号: C54582574
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.98克(g)

商品参数

HUFA76633P3采用先进的沟槽DS(ON)技术和设计，可提供出色的R值，且栅极电荷较低。它可用于多种应用。