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BUK9535-100A-HXY实物图
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BUK9535-100A-HXY

BUK9535-100A-HXY

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描述
该N沟道场效应管(MOSFET)漏源击穿电压(VDSS)为100V,栅源电压(VGS)耐受值为20V。其连续漏极电流(ID)达33A,配合30mΩ的低导通电阻(RDON),显著降低导通损耗与温升。器件适用于高电流密度的开关场景,常见于大功率直流电源、服务器供电模块及高性能电机驱动电路,为复杂电子系统提供稳定高效的功率切换与电流管理能力。
商品型号
BUK9535-100A-HXY
商品编号
C54582572
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.988克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)33A
导通电阻(RDS(on))30mΩ@10V
耗散功率(Pd)130W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)1.28nF
反向传输电容(Crss)26pF
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)300pF

商品概述

BUK9535 - 100A采用先进的沟槽DS(ON)技术和设计,可提供出色的导通电阻,且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 33A
  • 在栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 38mΩ

应用领域

  • 高效开关模式电源
  • 功率因数校正
  • 电子灯镇流器

数据手册PDF