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IRLR130ATM-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备100V的漏源击穿电压（VDSS），能够承受较高的工作电压。其连续漏极电流（ID）为15A，适用于中等功率负载的开关控制。导通电阻（RDON）为100mΩ，在导通状态下可有效降低功率损耗与发热。该器件凭借稳定的电气特性，广泛应用于电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中，为各类电子设备提供高效的电流通断控制方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRLR130ATM-HXY
商品编号: C54582571
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.410204克(g)

商品参数

IRLR130ATM采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。