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IPB026N10NF2SATMA1-HXY
IPB026N10NF2SATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管额定漏极电流为260A，漏源击穿电压达100V，导通电阻低至2.4毫欧，栅源电压耐受值为20V。凭借低导通损耗与高电流承载能力，适用于大电流开关电源、电机驱动模块及高性能逆变器等场景，能有效提升系统转换效率并降低热管理需求，满足高功率密度电路设计对关键开关器件的严苛要求。
- 商品型号
- IPB026N10NF2SATMA1-HXY
- 商品编号
- C54582564
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 379W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.505nF |
商品概述
IPB026N10NF2SATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- VDS = 100V，ID = 260A
- RDS(ON) < 4.2mΩ（VGS = 10V时）
应用领域
消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离式直流同步整流应用
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