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FDD86102-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备40A连续漏极电流能力，漏源击穿电压为100V，导通电阻典型值为20毫欧。其参数组合适合中等功率开关应用，常见于直流电源转换、电动工具驱动及储能设备保护电路。在高频开关环境下，该器件能平衡导通损耗与热管理需求，为各类电子系统提供稳定的功率控制解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDD86102-HXY
商品编号: C54582561
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.396克(g)

商品参数

FDD86102采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。