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FDP3682-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为33A，漏源击穿电压达100V，导通电阻为30毫欧，栅源电压耐受值为20V。其参数特性适用于中等功率开关场景，如服务器电源模块、通信设备供电单元及消费类电子产品的功率控制电路。在高频切换应用中，该器件能有效管理导通损耗，确保系统在稳定电压下高效运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDP3682-HXY
商品编号: C54582562
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.858333克(g)

商品参数

FDP3682采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于各种应用。