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HUFA76609D3ST_NL-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为10安培，漏源击穿电压为100伏特，导通电阻为140毫欧，栅源驱动电压支持20伏。其电气参数适用于中等功率的直流电机控制、开关电源适配及电池保护电路。在100伏耐压范围内，该器件能提供稳定的开关性能，适合对电压裕量和电流容量有明确要求的电力电子设计，确保系统在既定工况下可靠运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HUFA76609D3ST_NL-HXY
商品编号: C54582569
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.391837克(g)

商品参数

HUFA76609D3ST_NL采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻（RDS(ON)），可用于多种应用。