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FDD86113LZ-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为20安培，漏源击穿电压达100伏，导通电阻典型值为80毫欧。器件凭借低导通损耗特性，适用于高频率开关电路及大电流负载控制场景。在电源转换模块、电机驱动单元及电池管理系统中，其能有效提升能量传输效率并降低热耗散，满足对功率密度有严格要求的电子设备设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDD86113LZ-HXY
商品编号: C54582563
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.420408克(g)

商品参数

FDD86113LZ采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。