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IPD35N10S3L26ATMA2-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备100V漏源击穿电压与40A连续漏极电流承载能力，导通电阻典型值为20mΩ。低导通损耗特性使其适用于高电流开关场景，如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元。器件在高频开关应用中能保持较低温升，适合对效率要求严格的直流-直流变换器设计，满足大电流负载下的稳定导通需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD35N10S3L26ATMA2-HXY
商品编号: C54582566
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.396克(g)

商品参数

IPD35N10S3L26ATMA2采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。