温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FDD86110-HXY

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流为70A，漏源击穿电压达100V，导通电阻低至8.2毫欧，栅源驱动电压支持20V。凭借低导通损耗与高电流承载能力，器件适用于大电流开关场景，如高性能电源转换模块、电池管理系统及电机驱动电路，能有效提升系统能效并降低热设计难度，满足对功率密度有严格要求的电子设备需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDD86110-HXY
商品编号: C54582554
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.414286克(g)

商品参数

FDD86110采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。