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STD26NF10-HXY
STD26NF10-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为30A，漏源击穿电压为100V，导通电阻为37毫欧，栅源电压耐受值为20V。器件在中等电流应用中表现稳定，适用于各类电源适配器、电动工具控制板及消费类电子设备的功率开关电路。其参数配置有助于平衡导通损耗与开关速度，满足一般直流负载驱动需求，为系统设计提供可靠的功率管理方案。
- 商品型号
- STD26NF10-HXY
- 商品编号
- C54582558
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.402041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
STD26NF10采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 30A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 48mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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