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STD26NF10-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为30A，漏源击穿电压为100V，导通电阻为37毫欧，栅源电压耐受值为20V。器件在中等电流应用中表现稳定，适用于各类电源适配器、电动工具控制板及消费类电子设备的功率开关电路。其参数配置有助于平衡导通损耗与开关速度，满足一般直流负载驱动需求，为系统设计提供可靠的功率管理方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STD26NF10-HXY
商品编号: C54582558
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402041克(g)

商品参数

STD26NF10采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。