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IPB027N10N5ATMA1-HXY
IPB027N10N5ATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管额定漏极电流达260A，漏源击穿电压为100V，导通电阻低至2.4毫欧，栅源驱动电压支持20V。凭借超高电流承载能力与极低导通损耗，器件专为大功率开关应用设计，适用于高密度电源转换模块、大型储能系统逆变单元及重型电机驱动电路。其参数特性有助于显著降低系统热耗散，提升能效，满足对功率密度有极高要求的电子设备需求。
- 商品型号
- IPB027N10N5ATMA1-HXY
- 商品编号
- C54582556
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.736克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 379W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.505nF |
商品概述
IPB027N10N5ATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 260A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 4.2mΩ
应用领域
消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离直流同步整流应用
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