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SUD70090E-GE3-HXY
SUD70090E-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管最大漏极电流为70A，漏源击穿电压达100V，导通电阻低至8.2毫欧，栅源电压耐受值为20V。低导通损耗特性使其适用于大电流开关场景，如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统中的功率控制单元，能有效提升能效并减少散热需求。
- 商品型号
- SUD70090E-GE3-HXY
- 商品编号
- C54582560
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.368nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.9pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 451pF |
商品概述
SUD70090E - GE3采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V，漏极电流（ID） = 70A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 10.5mΩ
应用领域
- DC - DC转换器
- 电源管理功能
- 同步整流应用
- TO - 252 - 2L封装
- N - SGT MOSFET
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