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IPD35N10S3L26ATMA1-HXY

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描述: 该N沟道场效应管最大漏极电流为40A，漏源击穿电压为100V，导通电阻为20毫欧。器件凭借适中的电流承载能力与较低的导通损耗，适用于中等功率直流转换模块、电动滑板车控制器及各类便携式设备的电源管理电路。其参数特性有助于优化开关效率，减少发热，为系统提供稳定的功率切换与负载驱动支持。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD35N10S3L26ATMA1-HXY
商品编号: C54582559
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.398克(g)

商品参数

IPD35N10S3L26ATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性。