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FDD4141-F085P-HXY

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描述: 该P沟道场效应管最大漏极电流为50A，漏源击穿电压40V，导通电阻典型值10mΩ。其低阻抗特性显著降低导通损耗，适用于高电流负载开关、电池组保护电路及电源极性反接防护模块。在直流电源分配系统中，它能有效简化驱动电路设计并减少发热；亦常用于便携式电子设备的电源管理单元，满足大电流切换下对能效与空间布局的严格要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: FDD4141-F085P-HXY
商品编号: C54582551
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402克(g)

商品参数

FDD4141 - F085P采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。