AOD4126
AOD4126
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- 描述
- 该N沟道场效应管具备100V漏源击穿电压,连续漏极电流达40A,导通电阻典型值为20mΩ。低导通损耗特性使其在大电流开关场景中表现优异,适用于电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统等需要高效能功率控制的电子设备,能够显著提升系统整体能效与热管理性能。
- 商品型号
- AOD4126
- 商品编号
- C54582552
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.404082克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 822pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23.5pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
AOD4126采用先进的SGT MOSFET技术,可提供低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具有更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100V,漏极电流(ID) = 40A
- 当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 23mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
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