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SUD50N04-09H-E3-HXY

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏极电流为60A，漏源击穿电压40V，导通电阻低至7.7mΩ。其低导通损耗特性有效降低了功率转换过程中的热量产生，提升了系统能效。该器件适用于高电流负载开关、直流电机驱动控制及电池组保护电路，能够在紧凑的电源管理设计中提供可靠的功率切换性能，满足对热管理和电气效率有严格要求的消费类及通信设备应用需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SUD50N04-09H-E3-HXY
商品编号: C54582547
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

SUD50N04 - 09H - E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。