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IPD50P04P4L11ATMA1-HXY

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描述: 该P沟道场效应管具备80A连续漏极电流能力，漏源击穿电压为40V，导通电阻低至7.3mΩ。其低阻抗特性显著降低了大电流路径上的功率损耗与温升，适用于高侧电源开关、电池保护电路及负载切换模块。该器件能够在紧凑的电路板布局中提供高效的电流控制，满足便携式设备及高性能电源管理单元对空间与热性能的严格要求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD50P04P4L11ATMA1-HXY
商品编号: C54582548
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.406克(g)

商品参数

IPD50P04P4L11ATMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。