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NVD5805NT4G-HXY

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描述: 该N沟道场效应管额定漏极电流60A，漏源击穿电压40V，导通电阻为7.7mΩ。低导通阻抗设计有效减少了大电流传输时的功率损耗与热量积累，适用于高侧或低侧电源开关、电池组保护电路及直流电机驱动模块。其电气特性支持在紧凑空间内实现高效能电流控制，满足消费电子与高性能计算设备对电源转换效率及热管理的严格需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NVD5805NT4G-HXY
商品编号: C54582549
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.402克(g)

商品参数

NVD5805NT4G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。