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DMPH4015SK3Q-13-HXY

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描述: 该P沟道场效应管最大漏极电流为80A，漏源击穿电压40V，导通电阻低至7.3mΩ。作为高电流负载开关，其低内阻特性有效减少了导通压降与功率损耗。适用于电源极性保护、电池充放电管理回路及同步整流电路。在需要简化栅极驱动设计的高侧开关应用中，该器件能提供稳定的电流控制能力，确保系统在紧凑布局下实现高效的热管理与电气性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMPH4015SK3Q-13-HXY
商品编号: C54582539
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.404克(g)

商品参数

DMPH4015SK3Q - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。封装形式为TO - 252 - 2L。